产品分类 |
分离式半导体产品 >> FET - 单 |
NDD05N50Z-1G PDF |
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产品目录绘图 |
MOSFET IPAK-3
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标准包装 |
75 |
系列 |
- |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
标准
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漏极至源极电压(Vdss) |
500V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
4.7A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
4.5V @ 50µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
18.5nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
530pF @ 25V
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功率 - 最大 |
83W
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安装类型 |
通孔
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封装/外壳 |
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
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供应商设备封装 |
I-Pak
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包装 |
管件
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其它名称 |
NDD05N50Z-1G-ND NDD05N50Z-1GOS
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